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导热散热材料-铝碳化硅材料

Pride 界面材料 2017-06-12 17:07:18
所在地区:14001   时间:2017-06-12 17:07:18  【加入收藏夹】【举报】【关闭

 ■ AlSiC具有高导热率(180~240W/mK)和可调的热膨胀系数(6.5~9.5×10-6/K),因此一方面AlSiC的热膨胀系数与半导体芯片 和陶瓷基片实现良好的匹配,能够防止疲劳失效的产生,甚至可以将功率芯片直接安装到AlSiC基板上;另一方面AlSiC的热导率是可伐合金的十倍,芯片 产生的热量可以及时散发。这样,整个元器件的可靠性和稳定性大大提高。
■ AlSiC是复合材料,其热膨胀系数等性能可通过改变其组成而加以调整,因此产品可按用户的具体要求而灵活地设计,能够真正地做到量体裁衣,这是传统的金 属材料或陶瓷材料无法作到的。 
■ AlSiC的密度与铝相当,比铜和Kovar轻得多,还不到Cu/W的五分之一,特别适合于便携式器件、航空航天和其他对重量敏感领域的应用。   ■ AlSiC的比刚度(刚度除以密度)是所有电子材料中最高的:是铝的3倍,是W-Cu和Kovar的5倍,是铜的25倍,另外AlSiC的抗震性比陶瓷好,因此是恶劣环境(震动较大,如航天、汽车等领域)下的首选材料。
■ AlSiC可以大批量加工,但加工的工艺取决于碳化硅的含量,可以用电火花、金刚石、激光等加工。
■ AlSiC可以镀镍、金、锡等,表面也可以进行阳极氧化处理。
■ 金属化的陶瓷基片可以钎焊到镀好的AlSiC基板上,用粘结剂、树脂可以将印制电路板芯与AlSiC粘合。
■ AlSiC本身具有较好的气密性。但是,与金属或陶瓷封装后的气密性取决于合适的镀层和焊接。
■ AlSiC的物理性能及力学性能都是各向同性的。 使用AlSiC材料的意义 
■ 可以使集成电路的封装性能大幅提高,使用铝碳化硅材料进行电子封装,使封装体与芯片的受热膨胀相一致,并起到良好的导热功能,解决了电路的热失效问题; 
■ 批量使用AlSiC材料,可以降低封装成本。
■ 有效改良我国航天、军事、微波和其他功率微电子领域封装技术水平,提高功能,降低成本,加快我国航天和军工产品的先进化。例如,过去以可伐(Kovar) 材料作为器件封装外壳的地方,如果换作铝碳化硅外壳,重量就可减少为原来的三分之一,而导热性能则增加为原来的十倍。

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