IOL testing thermal resistance theta j-a problem!!!

我现在有3种device，封装在同一个package 里面，结果datasheet上的theta ja 完全不一样，不知道为什么，在我们分公司，我只作simulation, 不做测试，我不知道是不是device 上有什么不一样会导致thetaja的不同，那么在simulation 时怎样才能做出这种的不同，
目前，我们在准备做IOL testing, 知道device型号，怎样才能给出热阻呢？？那个急哟！！！！！！！！！！！
那位仁兄知道不妨告知，万分感谢！！


Problem1.jpg (65.75 KB)

有几个问题想请楼主确认一下
1。楼主说的data sheet是测试的结果还是simulation的结果？
2。从你的theta Ja来看，你的power很低，但是你的junction温度很高，想知道你测试环境的温度
3。3种device指的是3种die，如果有图片最好
个人看法：不同的die采用相同的封装形式测试的结果也会不一样，有时候还会差很多
举例来说
BGA292ball count package size27X27
当die size从100X100到300X300  theta Ja会从40变到20，所以差异还是很大的

对，是3 种die, die size 一样，图片暂时没有，我只知道不同的die散热面积不一样，其他的信息就不知道了。
我不知道datasheet是实验还是simulation 结果，但我知道他们在得出这个值的时候，两者都要效验的。
datasheet 上的数字在什么样的测试环境下测试的我不知道，但是，我们在测试iol时候，都有这个thetaja,所以，我想应该是iol的测试环境。

不知道其他公司的datasheet怎样得到的

忘记问楼主了，测试的时候3个die式封装在同一个package里面，还是单独封装只是采用相同的封装形式？
另外ball count或者lead count各是多少
每个die所加的power是否一样。不是很清楚你测试线路的设计，

我想除了die的内部结构的不同，其他的应该完全一样的。
想搞清楚的是，是不是die内部结构不同，或者junction temp不同，最后的测试条件相同的thetaja不同？

我猜测：
1：power不同，theta ja会有一定的差异，但是由于我接触的都是power相对比较大，一般超过1，所以对于温度的变化，theta ja并不是非常敏感
2：你所说得junction temperature不同，也可能是由两个原因不同。一个是power，一个是测试的环境温度，我是单纯从测量来看，正像我原来说得，你的power都很小。所以theta ja对于温度的变化很敏感
3：die结构不一样，我想subtrate的设计，ball count我想都会有影响，这些也会影响到theta ja
这个只是我的个人看法，可能不正确，还希望多多指正，互相切磋，共同学习