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“IGBT器件结壳热阻测试”视频案例

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中文称为绝缘栅双极型晶体管,是一种功率半导体器件,广泛应用于工业制造、4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域,以及轨道交通、新能源汽车、可再生能源、智能电网等战略性新兴产业领域。这些行业对于器件的使用寿命和可靠性具有极高的要求。


IGBT热阻特性的研究对于延长器件使用寿命,提高器件可靠性具有重要的现实意义。目前测试IGBT热阻参数的方法多为热敏参数法,该方法的优势在于操作简单方便,对硬件要求低。热敏参数法需要测量器件的壳温,而IGBT器件封装尺寸较大,测量过程中的误差因素多,导致壳温的准确性较差,热阻结果误差大且测试可重复性差。


与传统的热敏参数法相比,JESD51-14标准规定的结壳热阻瞬态双界面测试法具有更高的准确性和重现性,而T3Ster是目前全球唯一满足此测试标准的仪器。通过使用T3Ster对IGBT器件进行测试,可以获得器件的结温瞬态变化过程曲线,得到稳态的结壳热阻数据,还可以通过器件结构函数分析一维散热路径上各层材料的热阻值。


贝思科尔近期推出了“IGBT器件结壳热阻测试”视频案例。本视频重点介绍了MicReD T3Ster测试原理、IGBT热特性测试操作步骤以及测试数据处理等内容。通过对测试过程的详细介绍,让大家系统了解通过T3Ster获取IGBT的结壳热阻以及结构函数的步骤流程。



“IGBT器件结壳热阻测试”视频案例





贝思科尔实验室介绍


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贝思科尔公司和北京大学联合建设的半导体热可靠性联合实验室成立于2019年10月,位于深圳市南山区。

实验室配置:T3Ster热阻测试仪、DynTIM界面材料导热系数测试仪、Julabo温控循环仪等硬件设备,以及Flotherm、FloEFD、Flomaster、HyperLynx、Star CCM+等仿真软件。

实验室宗旨:为芯片半导体、LED、OLED、MOSFET、IGBT、IPM等领域广大客户提供测试、建模(模型校准)与仿真咨询服务。

面向行业:新能源/汽车/轨道交通、家电/通信;半导体IC、功率器件、IGBT、IPM、光电集成、OLED等。

我们的服务:
1 软硬件产品销售及技术支持服务;
2 热流仿真分析及设计顾问服务;
3 元器件的热阻、功率循环等测试服务。
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欢迎大家前来咨询、参观!!!



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