IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）中文称为绝缘栅双极型晶体管，是一种功率半导体器件，广泛应用于工业制造、4C（通信、计算机、消费电子、汽车电子）、航空航天、国防军工等传统产业领域，以及轨道交通、新能源汽车、可再生能源、智能电网等战略性新兴产业领域。这些行业对于器件的使用寿命和可靠性具有极高的要求。
IGBT热阻特性的研究对于延长器件使用寿命，提高器件可靠性具有重要的现实意义。目前测试IGBT热阻参数的方法多为热敏参数法，该方法的优势在于操作简单方便，对硬件要求低。热敏参数法需要测量器件的壳温，而IGBT器件封装尺寸较大，测量过程中的误差因素多，导致壳温的准确性较差，热阻结果误差大且测试可重复性差。
与传统的热敏参数法相比，JESD51-14标准规定的结壳热阻瞬态双界面测试法具有更高的准确性和重现性，而T3Ster是目前全球唯一满足此测试标准的仪器。通过使用T3Ster对IGBT器件进行测试，可以获得器件的结温瞬态变化过程曲线，得到稳态的结壳热阻数据，还可以通过器件结构函数分析一维散热路径上各层材料的热阻值。
贝思科尔近期推出了“IGBT器件结壳热阻测试”视频案例。本视频重点介绍了MicReD T3Ster测试原理、IGBT热特性测试操作步骤以及测试数据处理等内容。通过对测试过程的详细介绍，让大家系统了解通过T3Ster获取IGBT的结壳热阻以及结构函数的步骤流程。
贝思科尔实验室介绍
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