据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子正为其下一代移动处理器Exynos 2600引入HPB,技术，并搭配升级版FOWLP工艺，以应对严重的高性能芯片发热问题。
这项技术预计将在今年底前完成品质验证，最快明年上半年搭载于Galaxy S26系列中量产商用。HPB的全称为Heat Path Block，据称为一种超小型铜基高导热材料，可与LPDDR DRAM内存一道作为封装的一部分集成在处理器芯片的上方，与芯片顶部或侧面相接触，用于迅速将核心区域产生的热量向外传导。
这种模块与DRAM等组件一体封装不仅提升了热扩散效率，还能控制封装厚度和重量，对智能手机内部空间极其有限的散热系统来说，是一种高度集成化的解决方案。
同时，为进一步提升散热效率，Exynos 2600将采用升级版的FOWLP工艺。这种封装方式通过将I/O接口直接置于硅片之外，在不使用基板的情况下实现更高的散热效率和更紧凑的结构。
三星已经在Exynos 2400中使用过FOWLP，但HPB+FOWLP的组合还是首次出现。
此前有消息称，由于1.4nm以下工艺节点的推进进度不及预期，三星Exynos 2600将继续基于2nm工艺打造。因此，在后道工艺（如封装与散热）上的创新，就成为了弥补制程瓶颈、提升SoC综合性能的重要手段。
来源：安兔兔
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