来源：ZDNet Korea

近日，三星已启动下一代旗舰 SoC Exynos 2600 的试产工作，标志着该芯片进入原型生产阶段。此次试产采用三星先进的 SF2（2nm）工艺，初期良品率目标为 50%，而大规模量产需将这一指标提升至 70% 以上。

为应对高性能芯片的散热难题，三星计划为 Exynos 2600 引入 HPB（Heat Pass Block）技术。HPB 本质是集成在芯片上的高效散热器，可显著提升散热效率，帮助 SoC 更长时间维持最高运行频率。

与当前直接将 DRAM 置于 SoC 之上的封装方式不同，Exynos 2600 将同时集成 HPB 模块和 DRAM，通过 HPB 优化热传导路径，提升整体散热性能。此外，三星还将在 HPB 顶部采用扇出型晶圆级封装（FoWLP）技术 —— 该技术已应用于 Exynos 2400，可增强芯片耐热性并支持更强的多核性能。

根据泄露信息，Exynos 2600 采用 “2+6” 双丛集 CPU 架构，包含 2 个高性能 Cortex-X 核心和 6 个 Cortex-A 核心，最高频率达 3.55GHz。原型芯片基准测试显示，其单核约 2400 分、多核约 9400 分，与搭载 Exynos 2500 的 Galaxy S25 + 原型机（单核 2359 分 / 多核 8141 分）相比，初期性能提升幅度有限。

三星期望通过 HPB 等散热技术的应用，使 Exynos 2600 在量产时实现更高的稳定运行频率和更持久的峰值性能输出。

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